Influence of Ga Doping on Electrical Performance and Stability of ZnO Thin-Film Transistors Prepared by Atomic Layer Deposition
Influence of Ga Doping on Electrical Performance and Stability of ZnO Thin-Film Transistors Prepared by Atomic Layer Deposition
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Ga掺杂对原子层沉积ZnO薄膜晶体管电性能和稳定性的影响
DOI：
10.1109/ted.2020.3000197
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发表时间：
2020-08
影响因子：
3.1
通讯作者：
Chang Liu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qi Tang;Xue Chen;Jiaxian Wan;Hao Wu;Chang Liu
研究了不同掺杂浓度（Ga：Zn =0）的Ga掺杂ZnO薄膜晶体管（TFT）的性能。
Ga-doped ZnO (GZO) thin-film transistors (TFTs) with different doping concentrations ( ${n}_{Ga}$ : ${n}_{Zn} =0$ </inline-formul
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V. Bhosle;A. Tiwari;J. Narayan
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Huaping Song;H. Makino;J. Nomoto;N. Yamamoto;Tetsuya Yamamoto
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8.6
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Bent, Stacey F.