Molecular Dynamics Simulations of the Effect of Carbon Concentration on Silicon Carbide Crystal Growth
Molecular Dynamics Simulations of the Effect of Carbon Concentration on Silicon Carbide Crystal Growth
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碳浓度对碳化硅晶体生长影响的分子动力学模拟
DOI：
10.4028/www.scientific.net/amm.423-426.597
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发表时间：
2013-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Lang Zhou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Naigen Zhou;Tao Hong;Ke Li;Lang Zhou
采用分子动力学模拟方法研究了2900 K下碳浓度对熔体中SiC晶体生长的影响。用MEAM势计算了原子间相互作用力。原子层密度分析表明，在1%~ 70%的范围内，随着碳浓度的增加，SiC晶体生长速率在碳浓度小于45%时先增加，当碳浓度大于50%时又降低。缺陷原子的数量表明，SiC晶体的生长速率与C浓度在增加和减少过程中均呈指数关系。
The effect of carbon concentration on SiC crystal growth from melt at 2900 K has been investigated by molecular dynamics simulations. The inter-atomic forces are calculated by MEAM potential. Atomic layer density showed that, with the carbon concentration increasing in the range of 1%-70%, the SiC crystal growth rate increased first as the c concentration less than 45%, and then decreased as the c concentration more than 50%. The number of defected atoms showed that the SiC crystal growth rate had exponent relation to the C concentration both during increasing and decreasing process.
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DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
M. Rosseinsky
通讯作者：
M. Rosseinsky
影响因子：
3.7
作者：
Luo, X;Qian, GF;Chen, CF
通讯作者：
Chen, CF
应用物理学杂志
影响因子：
3.2
作者：
Nakamura N.;Chen C.;Kato D.;Kikuchi H.;Murakami I.;Ohtani S.;Tanuma H.;Watanabe T.;Tawara H.
通讯作者：
Tawara H.
影响因子：
1.8
作者：
TAIROV, YM;TSVETKOV, VF
通讯作者：
TSVETKOV, VF
影响因子：
3.1
作者：
Baliga, BJ
通讯作者：
Baliga, BJ