Inhomogeneous ring oscillator for WID variability and RTN characterization
Inhomogeneous ring oscillator for WID variability and RTN characterization
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用于 WID 可变性和 RTN 表征的非均匀环形振荡器
DOI：
10.1109/icmts.2012.6190607
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Onodera
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Fujimoto;I. A. K. M. Mahfzul;T. Matsumoto;H. Onodera
我们提出了一种非均匀环形振荡器（RO），其性能受到一小组晶体管的强烈影响，用于表征晶体管的晶体管变化。晶体管的性能灵敏度的提高，通过插入一个“奇点”到一个均匀的RO。提出的RO已被嵌入在一个65 nm的RO阵列测试结构，它被验证，提出的RO是高度敏感的芯片内（WID）的局部变化和随机电报噪声（RTN）。从WID频率变化提取阈值电压（VthN和VthP）和沟道长度（L）的随机变化量。振荡频率的时间变化，由于RTN观察到在非均匀RO。
We propose an inhomogeneous ring oscillator (RO) whose performance is strongly influenced by a small set of transistors for characterizing transistor-by-transistor variability. Performance sensitivities of the transistors are enhanced by inserting a “singular point” into a homogeneous RO. Proposed ROs have been embedded in a 65nm RO-array test structure, and it is verified that the proposed ROs are highly sensitive to Within-Die (WID) local variability and Random Telegraph Noise (RTN). The amounts of random variation in threshold voltages(VthN and VthP) and channel length(L) are extracted from the WID frequency variation. Temporal variation of oscillation frequency due to RTN is observed in the inhomogeneous RO.
使用 RO 阵列测试结构表征 WID 延迟变化
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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作者：
Hidetoshi Onodera;Haruhiko Terada
通讯作者：
Haruhiko Terada
RTN对CMOS逻辑电路性能波动的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
伊東;松本;西澤;砂川;小林;小野寺
通讯作者：
小野寺