The Impact of RTN on Performance Fluctuation in CMOS Logic Circuits
The Impact of RTN on Performance Fluctuation in CMOS Logic Circuits
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RTN对CMOS逻辑电路性能波动的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小野寺
中科院分区：
文献类型：
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作者：
伊東;松本;西澤;砂川;小林;小野寺
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DOI：
10.1109/tdmr.2007.912261
发表时间：
2008-03-01
影响因子：
2
作者：
Mahapatra, Souvik;Alam, Muhammad Ashraful
通讯作者：
Alam, Muhammad Ashraful
D 触发器的容变设计
DOI：
10.1109/socc.2010.5784732
发表时间：
2010
期刊：
23rd IEEE International SOC Conference
影响因子：
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作者：
Hiroki Sunagawa;H. Onodera
通讯作者：
H. Onodera
减少 22 nm 代 FET 的 High-к/金属栅极堆栈中的随机电报噪声
DOI：
10.1109/iedm.2009.5424225
发表时间：
2009
期刊：
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
N. Tega;H. Miki;Z. Ren;C. D'Emic;Y. Zhu;D. Frank;J. Cai;M. Guillorn;D. Park;W. Haensch;K. Torii
通讯作者：
K. Torii
变异建模及其对设计的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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作者：
W. Matsubara;S. Inenaga;A. Ishino;A. Shinohara;T. Nakamura;K. Hashimoto;Hidetoshi Onodera
通讯作者：
Hidetoshi Onodera