Novel high performance AlGaN/GaN based enhancement-mode metal-oxide semiconductor high electron mobility transistor
Novel high performance AlGaN/GaN based enhancement-mode metal-oxide semiconductor high electron mobility transistor
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新型高性能AlGaN/GaN基增强型金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
DOI：
10.1002/pssc.201300179
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Brown R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Brown R
本文介绍了一种新型高性能增强模式（E模式）氮化镓（GaN）金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS‐HEMT）的初步结果，该晶体管采用超薄3nm氮化镓铝（Al0.25G0.75aN）势垒层，依靠诱导二维电子气体（2DEG）进行工作。器件已经在蓝宝石和硅衬底上进行了演示。在蓝宝石衬底上采用10 nm和20 nm制备单指器件，在硅衬底上采用30 nm等离子体增强化学气相沉积（PECVD）二氧化硅（SiO2）作为栅介质制备单指器件。它们的阈值电压分别为+ 3v、+ 2v、+0.8 V，最大漏极电流分别超过620 mA/mm、550 mA/mm和450 mA/mm。这些结果表明，所提出的器件概念可以成为未来电力电子器件的基石。（©2014 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim）
This paper presents first results of a new high performance enhancement‐mode (E‐mode) gallium nitride (GaN) based metal‐oxide semiconductor high electron mobility transistor (MOS‐HEMT) that employs an ultrathin 3 nm aluminium gallium nitride (Al0.25G0.75aN) barrier layer and relies on an induced two dimensional electron gas (2DEG) for operation. Devices have been demonstrated on both sapphire and silicon substrates. Single finger devices on a sapphire substrate were fabricated using 10 nm and 20 nm, and on a silicon substrate using 30 nm of plasma enhanced chemical vapour‐deposited (PECVD) silicon dioxide (SiO2) as the gate dielectric. They demonstrated threshold voltages of +3 V, +2 V, +0.8 V and very high maximum drain currents of over 620 mA/mm, 550 mA/mm and 450 mA/mm, respectively. These results show that the proposed device concept can be a building block for future power electronic devices. (© 2014 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
DOI：
10.1109/peci.2013.6506025
发表时间：
2013-04
期刊：
2013 IEEE Power and Energy Conference at Illinois (PECI)
影响因子：
--
作者：
M. Scott;Jinzhu Li;Jin Wang
通讯作者：
M. Scott;Jinzhu Li;Jin Wang
硅基氮化镓：可扩展的材料系统，可实现具有成本效益的下一代固态照明和功率器件
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
Symposium on VLSI Technology
影响因子：
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作者：
S. Decoutere;H. Osman;J. Dekoster;B. Dutta;S. Biesemans
通讯作者：
S. Biesemans