Non-volatile RF and mm-wave Switches Based on Monolayer hBN
Non-volatile RF and mm-wave Switches Based on Monolayer hBN
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基于单层六方氮化硼的非易失性射频和毫米波开关
DOI：
10.1109/iedm19573.2019.8993470
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Akinwande, Deji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kim, Myungsoo;Pallecchi, Emiliano;Ge, Ruijing;Wu, Xiaohan;Avramovic, Vanessa;Okada, Etienne;Lee, Jack C.;Happy, Henri;Akinwande, Deji
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原子电阻：原子薄片和记录射频开关中的记忆效应
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
Ruijing Ge;Xiaohan Wu;Myungsoo Kim;P. Chen;Jianping Shi;Junho Choi;Xiaoqin Li;Yanfeng Zhang;M. Chiang;Jack C. Lee;D. Akinwande
通讯作者：
D. Akinwande
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
European Microwave Conference
影响因子：
--
作者：
A. Léon;B. Reig;V. Puyal;E. Perret;P. Ferrari;F. Podevin
通讯作者：
F. Podevin
用于自适应射频系统的可重构电子器件
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子：
--
作者：
R. Olsson;Kyle Bunch;C. Gordon
通讯作者：
C. Gordon
影响因子：
16.6
作者：
Kim M;Ge R;Wu X;Lan X;Tice J;Lee JC;Akinwande D
通讯作者：
Akinwande D