Inhomogeneous composition distribution in monolayer transition metal dichalcogenide alloys
Inhomogeneous composition distribution in monolayer transition metal dichalcogenide alloys
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单层过渡金属二硫属化物合金中的不均匀成分分布
DOI：
10.1088/2053-1591/aa6859
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发表时间：
2017-04
影响因子：
2.3
通讯作者：
Deren Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shuang Xie;Mingsheng Xu;Shuyun Huang;Tao Liang;Shengping Wang;Hongfei Li;Hideo Iwai;Keiko Onishi;Nobutaka Hanagata;Daisuke Fujita;Xiangyang Ma;Deren Yang
与各种成分进行合金化是调整二维（2D）过渡金属二硫属化物（TMD）光电性能的有效方法。然而，TMDs 合金单层的成分分布缺乏详细的研究。在这里，通过探索扫描俄歇电子能谱，我们以高空间分辨率研究了 MoS2(1−x)Se2x 单层的成分分布。我们的结果表明，不均匀的成分分布不仅存在于基材上的不同纳米片之间，而且存在于单个纳米片内。我们的研究将有助于开发 TMD 合金和其他二维材料可控合成的新方法。
Alloying with various compositions is an efficient method to tailor the optoelectronic properties of two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs). However, the composition distribution in the monolayer of TMDs alloys lacks detailed investigation. Here, by exploring scanning Auger electron spectroscopy, we investigate the composition distribution in MoS2(1−x)Se2x monolayers with high spatial resolution. Our results demonstrate that inhomogeneous composition distribution exists not only among different nanosheets on a substrate but also within individual nanosheets. Our study would be helpful to develop new methods for controllable synthesis of TMDs alloys and other 2D materials.
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