Electrostatic effects in coupled quantum dot-point contact-single electron transistor devices
Electrostatic effects in coupled quantum dot-point contact-single electron transistor devices
复制标题
耦合量子点接触单电子晶体管器件中的静电效应
DOI:
10.1063/1.4736419
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发表时间:
2012
影响因子:
3.2
通讯作者:
Pelling S
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Pelling S
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影响因子:
4
作者:
Chen, J. C.;Lin, Yiping;Komiyama, S.
通讯作者:
Komiyama, S.
影响因子:
8.6
作者:
D. Taubert;M. Pioro;D. Schröer;D. Harbusch;A. Sachrajda;S. Ludwig
通讯作者:
S. Ludwig
影响因子:
3.7
作者:
Danilov, AV;Golubev, DS;Kubatkin, SE
通讯作者:
Kubatkin, SE
DOI:
--
发表时间:
1997
期刊:
影响因子:
--
作者:
R. Grousson;V. Voliotis;N. Grandjean;J. Massies;M. Leroux;C. Deparis
通讯作者:
C. Deparis
DOI:
--
发表时间:
1991
期刊:
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子:
--
作者:
de Graaf C;Caro;Radelaar;Lauer;Heyers
通讯作者:
Heyers