Electrostatic effects in coupled quantum dot-point contact-single electron transistor devices

Electrostatic effects in coupled quantum dot-point contact-single electron transistor devices
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耦合量子点接触单电子晶体管器件中的静电效应

DOI:
10.1063/1.4736419
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发表时间:
2012
影响因子:
3.2
通讯作者:
Pelling S
Pelling S
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
Pelling S

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