Epitaxial GaN Layer Growth Using Nitrogen Enriched TiN Buffer Layers
Epitaxial GaN Layer Growth Using Nitrogen Enriched TiN Buffer Layers
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使用富氮 TiN 缓冲层生长外延 GaN 层
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Ito;Y.Uchida;S-J.Lee;S.Tsukimoto;Y.Ikemoto;K.Hirata;M.
金属 TiN 缓冲层上外延生长 GaN 层
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Journal of Electronic Materials 35・10
影响因子：
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作者：
Y.Uchida;K.Ito;S.Tsukimoto;Y.Ikemoto;K.Hirata;N.Shibata;M.
通讯作者：
M.
通过反应磁控溅射在 MgO(100) 上沉积外延 TiN 薄膜的生长：沉积过程中低能离子辐照的作用
DOI：
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发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
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作者：
L. Hultman;S. Barnett;J. Sundgren;J. Greene
通讯作者：
J. Greene