Quantum dot based mode-locked AlGaInP-VECSEL
Quantum dot based mode-locked AlGaInP-VECSEL
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基于量子点的锁模 AlGaInP-VECSEL
DOI：
10.1117/12.2077164
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
P. Michler
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Bek;G. Kersteen;H. Kahle;T. Schwarzbäck;M. Jetter;P. Michler
研究了以量子点为活性物质的垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)在红光波段的被动锁模。这两种半导体样品都是通过金属-有机气相外延(MOVPE)在近乎反共振的设计下制备的。V型腔被用来紧密聚焦在半导体可饱和吸收镜(SESAM)上，产生持续时间小于1ps、重复率为852 MHz的脉冲。为了增加吸波结构内部的磁场增强，在一些芝麻样品上额外涂覆了一层熔融二氧化硅。研究了不同厚度的二氧化硅薄膜的脉冲宽度和锁模稳定性。对于97 nm的SiO2层，观察到最稳定的锁模操作，而这种整体近共振SEAM结构的缺点是脉冲持续时间增加了约2ps。由于稳定性的提高，外耦合镜的透过率可以增加，在651 nm的发射波长下，平均输出功率为10 mW。
We present passive mode locking of a vertical external-cavity surface-emitting laser (VECSEL) in the red spectral range with quantum dots (QDs) as active material in the gain and in the absorber structure. Both semiconductor samples are fabricated by metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) in a near-anti-resonant design. A vshaped cavity is used to tightly focus onto the semiconductor saturable absorber mirror (SESAM), producing pulses with a duration of less than 1 ps and a repetition rate of 852MHz. In order to increase the field enhancement inside the absorber structure, some SESAM samples were additionally coated with a fused silica layer. The pulse duration as well as the mode locking stability were investigated for different thicknesses of the SiO2layer. The most stable mode locking operation is observed for a 97 nm SiO2layer, while the disadvantage of this overall near-resonant SESAM structure is an increased pulse duration of around 2 ps. Due to the improved stability, the transmission of the outcoupling mirror could be increased resulting in an average output power of 10mW at an emission wavelength of 651 nm.
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K. Wilcox;A. Tropper;H. Beere;D. Ritchie;B. Kunert;B. Heinen;W. Stolz
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M. Scheller;T. Wang;B. Kunert;W. Stolz;S. Koch;J. Moloney
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R. Bek;G. Kersteen;H. Kahle;T. Schwarzbäck;M. Jetter;P. Michler
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DOI：
--
发表时间：
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影响因子：
--
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P. Michler