Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
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X射线光电子能谱法测定纤锌矿InN/立方In2O3异质结能带偏移
DOI：
10.1063/1.3151956
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发表时间：
2009-06
影响因子：
4
通讯作者：
Wang, Z. G.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang, A. L.;Song, H. P.;Guo, Y.;Zhu, Q. S.;Liu, X. L.;Wang, H. H.;Zhang, B.;Zheng, G. L.;Yang, S. Y.;Wei, H. Y.;Yang, T. Y.;Wang, Z. G.
In2O3 is a promising partner of InN to form InN/In2O3 heterosystems. The valence band offset (VBO) of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction is determined by x-ray photoemission spectroscopy. The valence band of In2O3 is found to be 1.47 +/- 0.11 eV below that of InN, and a type-I heterojunction with a conduction band offset (CBO) of 0.49-0.99 eV is found. The accurate determination of the VBO and CBO is important for use of InN/In2O3 based electronic devices.
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X射线光电子能谱测量MgO/4H-SiC异质结的价带偏移
影响因子：
4
作者：
Sun, G. S.;Liu, X. L.;Yang, S. Y.;Wang, Z. G.;Wei, H. Y.;Zhang, B. L.;Zhang, P. F.;Zhu, Q. S.;Cai, F. F.;Fan, H. B.
通讯作者：
Fan, H. B.
影响因子：
4
作者：
J. Kim;T. Gessmann;E. Schubert;J. Xi;H. Luo;Jaehee Cho;C. Sone;Yongjo Park
通讯作者：
J. Kim;T. Gessmann;E. Schubert;J. Xi;H. Luo;Jaehee Cho;C. Sone;Yongjo Park
影响因子：
4
作者：
V. Cimalla;V. Lebedev;Ch. Y. Wang;M. Ali;G. Ecke;V. Polyakov;F. Schwierz;O. Ambacher;H. Lu;W. Schaff
通讯作者：
V. Cimalla;V. Lebedev;Ch. Y. Wang;M. Ali;G. Ecke;V. Polyakov;F. Schwierz;O. Ambacher;H. Lu;W. Schaff
影响因子：
29.4
作者：
B. Pauwels;G. Tendeloo;Carla Thoelen;W. V. Rhijn;P. Jacobs
通讯作者：
B. Pauwels;G. Tendeloo;Carla Thoelen;W. V. Rhijn;P. Jacobs
影响因子：
3.4
作者：
Chen, Lung-Chien;Ho, Yao-Ming
通讯作者：
Ho, Yao-Ming