Bipolar Degradation monitoring of 4H-SiC MOSFET Power Devices by Electroluminescence Measurements
Bipolar Degradation monitoring of 4H-SiC MOSFET Power Devices by Electroluminescence Measurements
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通过电致发光测量监测 4H-SiC MOSFET 功率器件的双极退化
DOI：
10.1109/iecon48115.2021.9589563
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Lachichi A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lachichi A
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DOI：
10.1109/wipda46397.2019.8998796
发表时间：
2019
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Lachichi A
通讯作者：
Lachichi A
用于混合低压交流/直流微电网的模块化多电平变流器分接单元和 2L-VSC 的比较优化设计
影响因子：
4.4
作者：
A. Lachichi;A. Junyent;T. Green
通讯作者：
T. Green
4H-SiC 堆垛层错复合过程的光致发光成像和深能级瞬态光谱相结合
影响因子：
3.7
作者：
A. Galeckas;A. Hallén;S. Majdi;J. Linnros;P. Pirouz
通讯作者：
P. Pirouz
基面位错对 SiC 功率器件可靠性的影响
DOI：
10.1109/iedm.2018.8614623
发表时间：
2018
期刊：
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
R. Stahlbush;K. N. A. Mahakik;A. Lelis;R. Green
通讯作者：
R. Green
SiC MOSFET 高温循环下的退化评估和前体识别
影响因子：
4.4
作者：
Enes Ugur;Fei Yang;S. Pu;Shuai Zhao;B. Akin
通讯作者：
B. Akin