Investigation of parasitic coupling of THz radiation to a large area field-effect transistor
Investigation of parasitic coupling of THz radiation to a large area field-effect transistor
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太赫兹辐射与大面积场效应晶体管的寄生耦合研究
DOI：
10.1109/irmmw-thz.2017.8066959
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
und S. Preu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Regensburger;S. Winnerl;J. M. Klopf;A. C. Gossard;und S. Preu
通过高迁移率场效应晶体管对 100 GHz 辐射进行偏振敏感检测
影响因子：
3.2
作者：
M. Sakowicz;J. Łusakowski;K. Karpierz;M. Grynberg;W. Knap;W. Gwarek
通讯作者：
W. Gwarek
DOI：
10.1109/tthz.2015.2482943
发表时间：
2015-11-01
影响因子：
3.2
作者：
Preu, Sascha;Mittendorff, Martin;Penirschke, Andreas
通讯作者：
Penirschke, Andreas
使用大面积场效应晶体管进行 0 1 至 22 THz 的宽带太赫兹检测
影响因子：
3.8
作者：
S. Regensburger;M. Mittendorff;S. Winnerl;A.C. Gossard;und S. Preu
通讯作者：
und S. Preu