Faraday-cage-assisted etching of suspended gallium nitride nanostructures
Faraday-cage-assisted etching of suspended gallium nitride nanostructures
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悬浮氮化镓纳米结构的法拉第笼辅助蚀刻
DOI：
10.1063/5.0007947
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Gough G
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gough G
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影响因子：
16.6
作者：
Jagsch ST;Triviño NV;Lohof F;Callsen G;Kalinowski S;Rousseau IM;Barzel R;Carlin JF;Jahnke F;Butté R;Gies C;Hoffmann A;Grandjean N;Reitzenstein S
通讯作者：
Reitzenstein S
体电介质中纳米结构的法拉第笼成角度蚀刻
影响因子：
1.4
作者：
P. Latawiec;M. Burek;Young;Marko Lonvcar
通讯作者：
Marko Lonvcar
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4
作者：
Roland, I.;Zeng, Y.;Boucaud, P.
通讯作者：
Boucaud, P.
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38.3
作者：
Javadi, Alisa;Ding, Dapeng;Lodahl, Peter
通讯作者：
Lodahl, Peter
通过传统 Cl2 反应离子蚀刻对 GaAs/AlGaAs 进行成角度蚀刻
影响因子：
4
作者：
T. Takamori;L. Coldren;J. Merz
通讯作者：
J. Merz