Characterization of MOS Capacitors Fabricated on n-type 4H-SiC Implanted with Nitrogen at High Dose
Characterization of MOS Capacitors Fabricated on n-type 4H-SiC Implanted with Nitrogen at High Dose
复制标题
高剂量注入氮的 n 型 4H-SiC 上制造的 MOS 电容器的特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R.Nipoti
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Poggi;F.Moscatelli;Y.Hijikata;S.Solmi;M.Sanmartin;F.Tamarri;R.Nipoti
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.693
发表时间：
2005-01-01
期刊：
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004
影响因子：
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作者：
Ciobanu, F;Pensl, G;Schöner, A
通讯作者：
Schöner, A
离子非晶化 (0001) 6H–SiC 的氧化动力学：氧化和重结晶过程之间的竞争
影响因子：
4
作者：
A. Poggi;A. Parisini;R. Nipoti;S. Solmi
通讯作者：
S. Solmi