Leakage currents in GaN-based Schottky interfaces
Leakage currents in GaN-based Schottky interfaces
复制标题
GaN 基肖特基接口中的漏电流
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Oikawa;F.Ishikawa;T.Sato;T.Hashizume;H.Hasegawa;T.Hashizume
DOI：
10.1088/0022-3727/35/20/326
发表时间：
2002-10
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Yuanping Sun;X. Shen;J. Wang;D. Zhao;G. Feng;Y. Fu;S M Zhang;Z H Zhang;Z. Feng;Y X Bai;Hui Yang
通讯作者：
Yuanping Sun;X. Shen;J. Wang;D. Zhao;G. Feng;Y. Fu;S M Zhang;Z H Zhang;Z. Feng;Y X Bai;Hui Yang
致编辑的信：GaN 和 Al0.31Ga0.69N 上铂基和镍基肖特基接触的热稳定性
影响因子：
1.9
作者：
E. Monroy;F. Calle;Rohit Ranchal;T. Palacios;M. Verdú;F. J. Sanchez;M. Montojo;M. Eickhoff;F. Omnès;Z. Bougrioua;I. Moerman
通讯作者：
I. Moerman