An Over 200 dB Dynamic Range Image Capture using a CMOS Image Sensor with Lateral Overflow Integration Capacitor and Current Readout Circuit in a Pixel
An Over 200 dB Dynamic Range Image Capture using a CMOS Image Sensor with Lateral Overflow Integration Capacitor and Current Readout Circuit in a Pixel
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使用具有横向溢出集成电容器和像素中电流读出电路的 CMOS 图像传感器进行超过 200 dB 的动态范围图像捕获
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Nana Akahane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nana Akahane;須川成利;須川成利;Nana Akahane;Nana Akahane
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高灵敏度高动态数字CMOS成像仪
DOI：
10.1117/12.426992
发表时间：
2001
期刊：
IEEE J. Solid State Circuits
影响因子：
--
作者：
Martin Waeny;S. Tanner;S. Lauxtermann;N. Blanc;M. Willemin;M. Rechsteiner;E. Doering;J. Grupp;P. Seitz;F. Pellandini;M. Ansorge
通讯作者：
M. Ansorge
组合线性对数 CMOS 图像传感器
DOI：
10.1109/isscc.2004.1332621
发表时间：
2004
期刊：
2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519)
影响因子：
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作者：
G. Storm;J. Hurwitz;D. Renshaw;K. Findlater;R. Henderson;M. Purcell
通讯作者：
M. Purcell
CMOS 图像传感器由带有埋置光电二极管的浮动扩散驱动像素组成
影响因子：
5.4
作者：
K. Mabuchi;N. Nakamura;E. Funatsu;T. Abe;T. Umeda;Tetsuro Hoshino;R. Suzuki;H. Sumi
通讯作者：
H. Sumi
宽动态范围像素，具有组合线性和对数响应以及增加的信号摆幅
DOI：
10.1117/12.385426
发表时间：
2000
期刊：
ISSCC. 2005 IEEE International Digest of Technical Papers. Solid-State Circuits Conference, 2005.
影响因子：
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作者：
E. Fox;J. Hynecek;D. Dykaar
通讯作者：
D. Dykaar
具有 FPN 消除和积分电路的对数转换 CMOS 图像传感器
DOI：
10.3169/itej.57.1013
发表时间：
2003
期刊：
The Journal of The Institute of Image Information and Television Engineers
影响因子：
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作者：
Tomokazu Kakumoto;S. Yano;M. Kusuda;K. Kamon;Yoshihiro Tanaka
通讯作者：
Yoshihiro Tanaka