Resistive switching memories in MoS2 nanosphere assemblies
Resistive switching memories in MoS2 nanosphere assemblies
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MoS2 纳米球组件中的电阻开关存储器
DOI：
10.1063/1.4862755
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发表时间：
2014-01
影响因子：
4
通讯作者：
Hu Jingguo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu Xiaoyong;Yin Zongyou;Xu Chunxiang;Dai Jun;Hu Jingguo
制备了一种由还原的氧化石墨烯和氧化铟锡氧化物作为上下两个电极，由电介质MoS2纳米球组件隔开作为有源中间层的阻性开关存储器件。该器件具有设置/复位电压低(∼2 V)、通断电阻比高(∼104)、电双稳性能好的可重写非易失性电阻开关，在数据存储领域具有潜在的应用前景。在电子隧穿极化势垒的假设模型中分析了电阻转换机制。
A resistive switching memory device consisting of reduced graphene oxide and indium tin oxide as top/bottom two electrodes, separated by dielectric MoS2 nanosphere assemblies as the active interlayer, was fabricated. This device exhibits the rewritable nonvolatile resistive switching with low SET/RESET voltage (∼2 V), high ON/OFF resistance ratio (∼104), and superior electrical bistability, introducing a potential application in data storage field. The resistance switching mechanism was analyzed in the assumptive model of the electron tunneling across the polarized potential barriers.
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DOI：
10.1209/epl/i2004-10446-4
发表时间：
2005-03
期刊：
EPL (Europhysics Letters)
影响因子：
--
作者：
Xiangting Li;D. Bergman;D. Stroud
通讯作者：
Xiangting Li;D. Bergman;D. Stroud
影响因子：
4
作者：
Dongsoo Lee;D. Seong;I. Jo;F. Xiang;R. Dong;Seokjoon Oh;H. Hwang
通讯作者：
Dongsoo Lee;D. Seong;I. Jo;F. Xiang;R. Dong;Seokjoon Oh;H. Hwang
影响因子：
13.3
作者：
Zhou, Weijia;Yin, Zongyou;Zhang, Hua
通讯作者：
Zhang, Hua
影响因子：
15
作者：
Li, Yanguang;Wang, Hailiang;Dai, Hongjie
通讯作者：
Dai, Hongjie
影响因子：
41.2
作者：
Szot, K;Speier, W;Waser, R
通讯作者：
Waser, R