Koopmans’ tuning of HSE hybrid density functional for calculations of defects in semiconductors: A case study of carbon acceptor in GaN
Koopmans’ tuning of HSE hybrid density functional for calculations of defects in semiconductors: A case study of carbon acceptor in GaN
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Koopmans 调整用于计算半导体缺陷的 HSE 混合密度泛函：GaN 中碳受体的案例研究
DOI：
10.1063/1.5140661
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发表时间：
2020
影响因子：
3.2
通讯作者：
Reshchikov, M. A.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Demchenko, D. O.;Reshchikov, M. A.
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