Preparation of Thick BaZrO3 Epitaxial Film for Coated Conductors by Polymer-Assisted Chemical Solution Deposition Method
Preparation of Thick BaZrO3 Epitaxial Film for Coated Conductors by Polymer-Assisted Chemical Solution Deposition Method
复制标题
聚合物辅助化学溶液沉积法制备涂层导体厚 BaZrO3 外延膜
DOI：
10.1007/s10948-014-2529-9
复制
发表时间：
2014-03
影响因子：
1.8
通讯作者：
Zhang, H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xia, Y. D.;Cheng, C. H.;Zhang, Y.;Zhang, H.
采用聚合物辅助化学溶液沉积法在单晶衬底上制备了BaZrO_3（BZO）外延薄膜，并对其进行了X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）分析。结果表明，外延膜的表面形貌和c轴织构程度随加工温度和气氛的变化而变化，在氩气中的最佳加工温度为900 °C。薄膜被发现具有良好的相纯度，高度的面内和面外织构，良好的密度与针孔和微裂纹的性质，和足够的厚度为250 nm。高度外延的700 nm厚的YBa 2Cu 3 O 7 −x（YBCO）薄膜在77 K下的自场临界电流密度（Jc）达到1.2 MA/cm 2。这些结果表明，BZO外延膜与目前的技术具有潜力作为单一的缓冲层的YBCO涂层导体。
BaZrO3 (BZO) epitaxial films have been deposited on single-crystal substrate by polymer-assisted chemical solution deposition method and have been studied with X-ray diffraction (XRD), SEM, and AFM analyses. It is found that the surface morphology and degree of c-axis texturing of the epi-films vary with processing temperature and atmosphere, with the optimized processing temperature of 900 °C in argon. The films are found with good phase purity, high-degree in-plane and out-of-plane texturing, good density with pin hole- and microcrack-free nature, and a sufficient thickness of >250 nm. Highly epitaxial 700-nm-thick YBa2Cu3O7−x (YBCO) thin film exhibits the self-field critical current density (Jc) that reached 1.2 MA/cm2 at 77 K. These results show that the BZO epi-films made with the current technique possess potentials as a single buffer layer for YBCO-coated conductors.
登录
查看更多内容
影响因子：
1.8
作者：
A. Takechi;K. Matsumoto;K. Osamura
通讯作者：
A. Takechi;K. Matsumoto;K. Osamura
影响因子：
3.6
作者：
Obradors, X;Puig, T;van Tendeloo, G
通讯作者：
van Tendeloo, G
影响因子：
5.4
作者：
Paranthaman, M;Shoup, SS;Specht, ED
通讯作者：
Specht, ED
DOI：
10.1016/s0921-4534(03)01193-6
发表时间：
2003-10
影响因子：
1.7
作者：
A. Takechi;K. Matsumoto;K. Osamura
通讯作者：
A. Takechi;K. Matsumoto;K. Osamura
影响因子：
9.4
作者：
A. Kuršumović;R. Huhne;R. Tomov;B. Holzapfel;B. Glowacki;J. Evetts
通讯作者：
A. Kuršumović;R. Huhne;R. Tomov;B. Holzapfel;B. Glowacki;J. Evetts