Formation of laterally ordered quantum dot molecules by in situ nanosecond laser interference
Formation of laterally ordered quantum dot molecules by in situ nanosecond laser interference
复制标题
原位纳秒激光干涉形成横向有序量子点分子
DOI：
10.1063/5.0009847
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发表时间：
2020-05
影响因子：
4
通讯作者：
Mark Hopkinson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yunran Wang;Im Sik Han;Chaoyuan Jin;Mark Hopkinson
我们展示了InAs量子点分子（qdm）的横向有序阵列在GaAs（100）衬底上的生长和表面表征，这种生长是由原位干涉纳米图和分子束外延生长相结合产生的。在生长过程中施加四束紫外激光干涉，由于局部表面扩散导致准二维岛屿的形成。随着InAs的进一步沉积，岛屿的边缘被观察到作为InAs量子点成核的优先位置。通过改变InAs的覆盖范围从1.55 ML到1.75 ML，获得了周期为300 nm的有序方形横向qdm阵列，其位置占用范围从单点到六分子不等。
We demonstrate the growth and surface characterization of laterally ordered arrays of InAs quantum dot molecules (QDMs) on GaAs (100) substrates produced by a combination of in situ interferometric nanopatterning and molecular beam epitaxy growth. Four-beam ultraviolet laser interference is applied during the growth process resulting in the formation of quasi two-dimensional islands due to localized surface diffusion. With further InAs deposition, the edges of the islands are observed to act as preferential sites for the nucleation of InAs quantum dots. Well-ordered square arrays of lateral QDMs with a period of 300 nm and site occupancy ranging from single dot up to hexa-molecules are obtained by varying the InAs coverage from 1.55 ML to 1.75 ML.
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影响因子：
4
作者：
Lee, J. H.;Wang, Zh. M.;Salamo, G. J.
通讯作者：
Salamo, G. J.
影响因子：
2.7
作者：
F. Arciprete;E. Placidi;R. Magri;D. Del Gaudio;F. Patella
通讯作者：
F. Arciprete;E. Placidi;R. Magri;D. Del Gaudio;F. Patella
影响因子：
56.9
作者：
Stinaff, EA;Scheibner, M;Gammon, D
通讯作者：
Gammon, D
影响因子：
4
作者：
Bracker, A. S.;Scheibner, M.;Gammon, D.
通讯作者：
Gammon, D.
影响因子：
4
作者：
Placidi, E;Arciprete, F;Balzarotti, A
通讯作者：
Balzarotti, A