New Si Atomic-Layer-Controlled Growth Technique with Thermally-Cracked Hydride Molecule
New Si Atomic-Layer-Controlled Growth Technique with Thermally-Cracked Hydride Molecule
复制标题
新型硅原子层控制热裂解氢化物分子生长技术
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D.Shiratori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Suda;N.Hosoya;D.Shiratori
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影响因子：
1.5
作者：
M. Ishida;Mitsutomi Yamashita;Yoshio Nagata Yoshio Nagata;Yoshiyuki Suda Yoshiyuki Suda
通讯作者：
Yoshiyuki Suda Yoshiyuki Suda
Ar激光辅助Si亚原子层外延
影响因子：
1.8
作者：
Y. Suda;M. Ishida;Mitsutomi Yamashita
通讯作者：
Mitsutomi Yamashita
Si2H6 在 Ge(001)2 × 1 上的吸附和解离
DOI：
10.1016/0039-6028(93)90680-i
发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Tsu;D. Lubben;T. Bramblett;J. Greene;Deng;T. Chiang
通讯作者：
T. Chiang
影响因子：
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作者：
ROENIGK, KF;JENSEN, KF;CARR, RW
通讯作者：
CARR, RW
影响因子：
1.5
作者：
J. G. Martín;M. A. Ring;H. O'neal
通讯作者：
H. O'neal