2D free-standing Ge-doped ZnO: excellent electron-emitter and excitation-power-dependent photoluminescence redshift
2D free-standing Ge-doped ZnO: excellent electron-emitter and excitation-power-dependent photoluminescence redshift
复制标题
二维独立式掺Ge ZnO：优异的电子发射体和激发功率依赖性光致发光红移
DOI：
10.1039/c7ra00027h
复制
发表时间：
2017-02
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Wang Chengxin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun Yong;Wang Chengxin
在石墨衬底上制备了Ge掺杂ZnO二维自支撑纳米结构。由大量纳米颗粒组成的单个纳米片具有优异的场致电子发射性能，
Two-dimensional (2D) free-standing Ge-doped ZnO nanostructures were synthesized on graphite substrate. A single nanosheet composed of amounts of nanograins with size of ∼20 nm exhibits excellent field electron emission capability that can deliver a curren
登录
查看更多内容
IV 族元素掺杂 ZnO 薄膜晶体管的电特性
影响因子：
--
作者：
Li Zhe;Xu Lei;Abliz Ablat;Hua Yang;Li Jinchai;Shi Ying;Liu Wei;Liao Lei
通讯作者：
Liao Lei
影响因子：
17.1
作者：
N. Shang;P. Papakonstantinou;Peng Wang;A. Zakharov;U. Palnitkar;I. Lin;M. Chu;A. Stamboulis
通讯作者：
N. Shang;P. Papakonstantinou;Peng Wang;A. Zakharov;U. Palnitkar;I. Lin;M. Chu;A. Stamboulis
影响因子：
3.7
作者：
SCHMIDT, T;LISCHKA, K;ZULEHNER, W
通讯作者：
ZULEHNER, W
影响因子：
29.4
作者：
Zhou, J;Xu, NS;Wang, ZL
通讯作者：
Wang, ZL
影响因子：
17.1
作者：
Yang, Ya;Pradel, Ken C.;Wang, Zhong Lin
通讯作者：
Wang, Zhong Lin