Electrical Properties in Group IV Elements-Doped ZnO Thin-Film Transistors
Electrical Properties in Group IV Elements-Doped ZnO Thin-Film Transistors
复制标题
IV 族元素掺杂 ZnO 薄膜晶体管的电特性
DOI：
10.1109/jdt.2015.2432857
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发表时间：
2015-05
影响因子：
--
通讯作者：
Liao Lei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Zhe;Xu Lei;Abliz Ablat;Hua Yang;Li Jinchai;Shi Ying;Liu Wei;Liao Lei
采用射频磁控溅射法在150 ℃的衬底上制备了IV族元素掺杂的ZnO薄膜晶体管（TFT）。研究了掺杂剂浓度对器件性能的影响。通过调节掺杂浓度，可以调制器件的阈值电压等特性，提高场效应迁移率和饱和电流。此外，通过施加负偏置应力来评估薄膜晶体管的可靠性，Ge掺杂薄膜晶体管的漂移小于其他薄膜晶体管，因此Ge掺杂有助于提高ZnO薄膜晶体管的偏置稳定性。
The group IV elements doped ZnO thin-film transistors (TFTs) were deposited by radio-frequency magnetron sputtering onsubstrates at 150. The influence of the dopant concentrations on the device performance was examined. Device characteristics such as threshold voltagewere modulated and field effect mobility and saturated current could be enhanced by tuning dopant concentration. Moreover, the negative bias stress was applied so that the reliability of the TFTs could be evaluated, the shift offor Ge-doped TFTs is smaller than that of other TFTs, and therefore, Ge doping may help to improve the bias stability of ZnO TFTs.
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