ECC with increased hard error correction capability for memory reliability improvement
ECC with increased hard error correction capability for memory reliability improvement
复制标题
ECC 具有增强的硬纠错能力,可提高内存可靠性
DOI:
10.1109/nvmts.2014.7060856
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发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
P. Skoncej
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
P. Skoncej
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影响因子:
20.6
作者:
R. Micheloni;M. Picca;Stefano Amato;H. Schwalm;Michael Scheppler;S. Commodaro
通讯作者:
S. Commodaro
DOI:
10.1109/drc.2009.5354906
发表时间:
2009
期刊:
2009 Device Research Conference
影响因子:
--
作者:
R. Buhrman
通讯作者:
R. Buhrman
DOI:
10.1109/rams.2011.5754522
发表时间:
2011
期刊:
2011 Proceedings - Annual Reliability and Maintainability Symposium
影响因子:
--
作者:
M. White;J. Qin;J. Bernstein
通讯作者:
J. Bernstein
DOI:
10.1109/dftvs.1999.802896
发表时间:
1999
期刊:
Proceedings 1999 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI Systems (EFT'99)
影响因子:
--
作者:
W. Armitage;Jien
通讯作者:
Jien
影响因子:
3.7
作者:
William K. S. Walker;C. Sundberg;Colin J. Black
通讯作者:
Colin J. Black