Ge Nanocages and Nanoparticles via Microwave-Assisted Galvanic Replacement for Energy Storage Applications
Ge Nanocages and Nanoparticles via Microwave-Assisted Galvanic Replacement for Energy Storage Applications
复制标题
通过微波辅助电镀替代的 Ge 纳米笼和纳米颗粒用于储能应用
DOI：
10.1021/acsanm.0c00803
复制
发表时间：
2020
影响因子：
5.9
通讯作者：
Kauzlarich, Susan M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qi, Xiao;Kauzlarich, Susan M.
报道了利用GeI2和Ag纳米颗粒之间的电偶取代反应合成高度单分散的中空Ge纳米颗粒的系统研究。通过微调温度、前驱体摩尔比、配体浓度等合成参数，可以精确控制Ge纳米粒子的形貌和表面结构。我们还报道了一种制备固体Ge纳米粒子和具有可控均匀壳层厚度的Ag@Ge核壳金属半导体纳米粒子的方法。提出了一种电偶置换的向内扩散机制，并通过成像反应的不同阶段和产物的分析来支持该机制。这种机制允许反应自我终止，并实现纳米级的精度。电偶反应可应用于其他半导体，并可作为经典的形核-生长机制的有力替代，从而推动放大和进一步的储能应用。
We report a systematic study on the synthesis of highly monodisperse hollow germanium (Ge) nanoparticles (NPs) via galvanic replacement reactions between GeI2and Ag NPs. By fine-tuning the synthetic parameters such as temperature, precursor molar ratio, ligand concentration, and so forth, the morphology and surface structure of the Ge NPs can be precisely controlled. We also report a method to synthesize solid Ge NPs and Ag@Ge core–shell metal–semiconductor NPs with a controllable uniform shell thickness. An inward diffusion mechanism for galvanic replacement is proposed and supported by imaging the different stages of the reaction and analysis of the products. This mechanism allows the reaction to be self-terminated and achieves nanometer-sized accuracy. The galvanic reaction may be applied to other semiconductors and could serve as a powerful alternative to the classical nucleation-growth mechanism and subsequently advance the scale-up and further energy storage applications.
由于高电子能量沉积而在非晶锗中形成空隙
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Gärtner;J. Johrens;T. Steinbach;C. Schnohr;M. Ridgway;W. Wesch
通讯作者：
W. Wesch
影响因子：
10.8
作者：
Lu, Xianmao;Au, Leslie;Xia, Younan
通讯作者：
Xia, Younan
影响因子：
35
作者：
He, Rongrui;Sazio, Pier J. A.;Badding, John V.
通讯作者：
Badding, John V.