Photoluminescence properties of Al-rich AlGaN/AlN SQWs
Photoluminescence properties of Al-rich AlGaN/AlN SQWs
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富铝AlGaN/AlN SQW的光致发光特性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.G.Banal;M.Funato;Y.Kawakami
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影响因子：
35
作者：
Oto, Takao;Banal, Ryan G.;Kawakami, Yoichi
通讯作者：
Kawakami, Yoichi
本征硅中激子分子和自由激子的复合动力学
影响因子：
3.6
作者：
J. Cuthbert
通讯作者：
J. Cuthbert
具有微米空间分辨率的 GaN 基半导体时间分辨光致发光光谱
DOI：
10.1016/s0022-2313(99)00594-3
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Izumi;Y. Narukawa;K. Okamoto;Y. Kawakami;S. Fujita;S. Nakamura
通讯作者：
S. Nakamura
通过外延横向过度生长生长的非极性 a 面 GaN 中自由载流子寿命的增加
DOI：
10.1063/1.1777409
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Juršėnas;E. Kuokštis;S. Miasojedovas;G. Kurilčik;A. Žukauskas;C. Chen;J. Yang;V. Adivarahan;M. Khan
通讯作者：
M. Khan
选择性激发下富铝 AlGaN/AlN 多量子阱的时间分辨光致发光
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y.Iwata;T.Oto;A.Kaneta;R.G.Banal;M.funato;Y.Kawakami
通讯作者：
Y.Kawakami