Cu films deposition by dielectric barrier discharge in supercritical CO2, Ar and Xe environments
Cu films deposition by dielectric barrier discharge in supercritical CO2, Ar and Xe environments
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超临界 CO2、Ar 和 Xe 环境中介质阻挡放电沉积铜膜
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Terashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Kikuchi;T. Tomai;H. Kubo;K. Terashima
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超临界二氧化碳中产生 27.12 MHz 等离子体
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Journal of Applied Physics 101
影响因子：
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作者：
A. Kawashime S. Nomura;et. al.
通讯作者：
et. al.
使用超临界二氧化碳在深纳米沟槽/孔中沉积铜和钌薄膜
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics. 43
影响因子：
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作者：
E.Kondoh;K.Shigama;E.Kondoh;E.Kondoh;E.Kondoh
通讯作者：
E.Kondoh
在 N2 和 CO2 环境中直至超临界条件下产生介质阻挡放电
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Thin Solid Films (In press)
影响因子：
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作者：
T.Tomai;T.Ito;K.Terashima
通讯作者：
K.Terashima
六氟乙酰丙酮铜 (II) I 的 Cu CVD 法。
影响因子：
3.9
作者：
Y. D. Chen;A. Reisman;I. Turlik;D. Temple
通讯作者：
D. Temple
影响因子：
1.5
作者：
Evgeniya H. Lock;A. Saveliev;Lawrence A. Kennedy
通讯作者：
Lawrence A. Kennedy