GaAs-based dilute bismide semiconductor lasers: Theory vs. experiment
GaAs-based dilute bismide semiconductor lasers: Theory vs. experiment
复制标题
GaAs 基稀双胺半导体激光器：理论与实验
DOI：
10.1109/nusod.2016.7546999
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Broderick C
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Broderick C
稀双酰胺和双氮化物半导体的 12 和 14 带 k·p 哈密顿量的推导
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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作者：
C. Broderick;M. Usman;E. O’Reilly
通讯作者：
E. O’Reilly
具有吸气层的发光半导体器件
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
U.维奇曼恩;J.S.科布;A.P.恩格哈德特;H.梅恩奇;M.F.C.谢曼恩
通讯作者：
M.F.C.谢曼恩
影响因子：
4
作者：
Ludewig, P.;Knaub, N.;Volz, K.
通讯作者：
Volz, K.