Modeling power converters using hard switched silicon carbide MOSFETs and Schottky barrier diodes
Modeling power converters using hard switched silicon carbide MOSFETs and Schottky barrier diodes
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使用硬开关碳化硅 MOSFET 和肖特基势垒二极管对电源转换器进行建模
DOI：
10.1109/epe.2013.6631758
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Alexakis P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Alexakis P
SPICE功率MOS晶体管的电热大信号模型
影响因子：
6.7
作者：
J. Zarebski;K. Górecki
通讯作者：
K. Górecki
寄生电感对碳化硅肖特基势垒二极管性能的影响
影响因子：
6.7
作者：
O. Alatise;N. Parker;D. Hamilton;P. Mawby
通讯作者：
P. Mawby