AlInAs/GaInAs/AlAsSb 超格子カスケードレーザ構造の設計
AlInAs/GaInAs/AlAsSb 超格子カスケードレーザ構造の設計
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AlInAs/GaInAs/AlAsSb超晶格级联激光器结构设计
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須崎渉
中科院分区：
文献类型：
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作者：
吉見哲生;田中将士;釣田隆弘;須崎渉
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InGaAs-AlAsSb 量子级联结构的 λ〜4–5.3 μm 子带间发射
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
D. Revin;L. Wilson;E. Zibik;R. Green;J. Cockburn;M. Steer;R. Airey;M. Hopkinson
通讯作者：
M. Hopkinson
通过阻挡有源区域的势垒改进 λ≈5 μm 量子级联激光器
影响因子：
4
作者：
Q. Yang;C. Mann;F. Fuchs;R. Kiefer;K. Köhler;N. Rollbühler;H. Schneider;J. Wagner
通讯作者：
J. Wagner
短波长 (λ=3.8μm) 应变补偿 In0.73Ga0.27As–AlAs 量子级联激光器在室温以上运行
影响因子：
4
作者：
M. Semtsiv;M. Ziegler;S. Dressler;W. Masselink;N. Georgiev;T. Dekorsy;M. Helm
通讯作者：
M. Helm
InGaAs/AlAsSb 超晶格界面 V 族物质交换的影响
影响因子：
1.8
作者：
N. Georgiev;T. Mozume
通讯作者：
T. Mozume
影响因子：
2.5
作者：
C. Sirtori;H. Page;C. Becker;V. Ortiz
通讯作者：
C. Sirtori;H. Page;C. Becker;V. Ortiz