Determination of the thermoelectric figure of merit of doped polysilicon thin films by micromachined test structures
Determination of the thermoelectric figure of merit of doped polysilicon thin films by micromachined test structures
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通过微机械测试结构测定掺杂多晶硅薄膜的热电品质因数
DOI：
10.1109/icsens.2012.6411144
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
O. Paul
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Moser;D. llkaya;D. Kopp;O. Paul
本文报道了掺杂多晶硅（poly-Si）薄膜热电性能ZT的测定方法。为了准确提取多晶硅的热性能，开发了用于多晶硅塞贝克系数S和导热系数κ的微机械膜测试结构。电阻率ρ用范德保结构测量。从结果中提取出ZT = s2tk -lρ-1的温度依赖值。在90 ~ 370 K的温度范围内测量了材料参数。在290 K下，掺杂n和p的多晶硅薄膜的ZT为（10.08±0.14）×10-3and（10.29±0.12）×10-3was。n掺杂材料对应的材料参数为k = 25.0 Wm-1K-1, S = -81 μ vk -1, ρ = 7.58 μΩm。p掺杂多晶硅的κ = 40.6 Wm-1K-1, S = 240 μ vk -1, ρ = 40.1 μΩm。
This paper reports on the determination of the thermoelectric figure of merit ZT of doped polysilicon (poly-Si) thin films. For the extraction of accurate thermal properties, micromachined membrane test structures for the Seebeck coefficient S and the thermal conductivity κ of poly-Si were developed. The electrical resistivity ρ is measured using van-der-Pauw structures. From the results the temperature dependent value of ZT = S2Tk-lρ-1is extracted. The material parameters were measured in the temperature range from 90 to 370 K. A ZT of (10.08±0.14)×10-3and (10.29±0.12)×10-3was obtained at 290 K for n- and p-doped poly-Si thin films. The corresponding material parameters for n-doped material are k = 25.0 Wm-1K-1, S = -81 μVK-1and ρ = 7.58 μΩm. For p-doped poly-Si the values are found to be κ = 40.6 Wm-1K-1, S = 240 μVK-1and ρ = 40.1 μΩm.
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
ICMTS 1999. Proceedings of 1999 International Conference on Microelectronic Test Structures (Cat. No.99CH36307)
影响因子：
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作者：
O. Paul;L. Plattner;H. Baltes
通讯作者：
H. Baltes
用于测定掺杂多晶硅薄膜塞贝克系数的微观结构
DOI：
10.1063/1.4731584
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Moser;A. Steffen;O. Paul
通讯作者：
O. Paul
薄膜热导率和发射率测量的膜上方法的改进
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Jacquot;Gang Chen;H. Scherrer;A. Dauscher;B. Lenoir
通讯作者：
B. Lenoir