Cross-sectional scanning tunneling microscopy of antiphase boundaries in epitaxially grown GaP layers on Si(001)

Cross-sectional scanning tunneling microscopy of antiphase boundaries in epitaxially grown GaP layers on Si(001)
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Si(001) 上外延生长的 GaP 层反相边界的横截面扫描隧道显微镜

DOI:
10.1116/1.4945992
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发表时间:
2016
期刊:
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子:
--
通讯作者:
A. Lenz
A. Lenz
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
C. Prohl;H. Döscher;P. Kleinschmidt;T. Hannappel;A. Lenz

文献摘要

参考文献

被引文献

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