Enhanced multiferroic properties of BiFeO3 thin films by Nd and high-valence Mo co-doping
Enhanced multiferroic properties of BiFeO3 thin films by Nd and high-valence Mo co-doping
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Nd 和高价 Mo 共掺杂增强 BiFeO3 薄膜的多铁性能
DOI：
10.1088/0022-3727/42/18/185010
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发表时间：
2009-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
采用脉冲激光沉积方法在 Pt/Ti/SiO2/Si 基底上制备了纯 BiFeO3 (BFO)、Nd 掺杂 BFO (BNF) 以及 Nd 和 Mo 共掺杂 BFO (BNFM) 多铁性薄膜。在这些薄膜中，BNFM薄膜表现出最低的介电损耗和漏电流密度、良好饱和的P-E环、优异的电荷保持能力和无疲劳行为。此外，在该薄膜中观察到铁磁性得到改善，饱和磁化强度为~15 emu cm−3。铁电和铁磁性能的显着改善初步归因于 Nd 和高价 Mo 共掺杂消除了氧空位以及薄膜中 Fe2+ 离子的增加。
Pure BiFeO3 (BFO), Nd-doped BFO (BNF) and Nd and Mo co-doped BFO (BNFM) multiferroic thin films were prepared by pulsed laser deposition on Pt/Ti/SiO2/Si substrates. Among these films, the BNFM film exhibited the lowest dielectric loss and leakage current density, a well-saturated P–E loop, excellent charge-retaining ability and fatigue-free behaviour. Furthermore, improved ferromagnetism was observed in this film with a saturation magnetization of ∼15 emu cm−3. These significant improvements in ferroelectric and ferromagnetic properties could be preliminarily attributed to the elimination of oxygen vacancies and the increase in the Fe2+ ions in the film by Nd and high-valence Mo co-doping, respectively.
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影响因子：
3.9
作者：
R. Zheng;C. H. Sim;Junzhong Wang;S. Ramakrishna
通讯作者：
R. Zheng;C. H. Sim;Junzhong Wang;S. Ramakrishna
影响因子：
1.5
作者：
S. Singh;H. Ishiwara
通讯作者：
S. Singh;H. Ishiwara
DOI：
10.1088/0022-3727/41/13/135402
发表时间：
2008-07
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Zhen Zhang;Shijie Wang;W. Song;Li Lu;C. Shu;P. Wu
通讯作者：
Zhen Zhang;Shijie Wang;W. Song;Li Lu;C. Shu;P. Wu
影响因子：
3.7
作者：
Cheng, Zhenxiang;Wang, Xiaolin;Ozawa, Kiyoshi
通讯作者：
Ozawa, Kiyoshi
影响因子：
4
作者：
Naganuma, Hiroshi;Miura, Jun;Okamura, Soichiro
通讯作者：
Okamura, Soichiro