The dependence of the emission from MQWs on the indium content in the underlying InGaN templates: experimental and modeling results
The dependence of the emission from MQWs on the indium content in the underlying InGaN templates: experimental and modeling results
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MQW 的发射对底层 InGaN 模板中铟含量的依赖性：实验和建模结果
DOI：
10.1088/1361-6641/abe141
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发表时间：
2021
影响因子：
1.9
通讯作者：
Bedair, S M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Abdelhamid, Mostafa;Routh, Evyn L;Bedair, S M
研究了InyGa 1-yN模板对InxGa 1-xN多量子威尔斯阱（x> y）的影响.光致发光（PL）测量和测试的发光二极管（LED）表明，y = 10%的弛豫In y Ga 1-y N模板可以引起多量子阱发射的红移，
The effect of underlying highly relaxed In y Ga 1-y N templates on In x Ga 1-x N multiple quantum wells (MQWs), where x> y, is investigated. Photoluminescence (PL) measurements and tested light emitting diodes (LEDs) show that relaxed In y Ga 1-y N templates with y∼ 10% can cause a red shift in MQWs emission of
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