Mesh Zoning Method for Electro-Thermal Analysis of Submicron Si MOSFET
Mesh Zoning Method for Electro-Thermal Analysis of Submicron Si MOSFET
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亚微米硅 MOSFET 电热分析的网格分区法
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Okazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Hatakeyama;K.Fushinobu;K.Okazaki
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影响因子：
1.7
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M. Lorenzini;J. V. Houdt
通讯作者：
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DOI：
10.1115/imece2004-61949
发表时间：
2004
期刊：
2005 International Conference On Simulation of Semiconductor Processes and Devices
影响因子：
--
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通讯作者：
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10.1108/eb010322
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通讯作者：
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DOI：
10.1115/ipack2003-35079
发表时间：
2003
期刊：
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影响因子：
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作者：
K. Fushinobu;H. Maruyama
通讯作者：
H. Maruyama