A Substrate Integrated Gap Waveguide Based Wideband 3-dB Coupler for 5G Applications
A Substrate Integrated Gap Waveguide Based Wideband 3-dB Coupler for 5G Applications
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适用于 5G 应用的基于基板集成间隙波导的宽带 3dB 耦合器
DOI：
10.1109/access.2018.2879438
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Xiupu Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dongya Shen;Ke Wang;Xiupu Zhang
基于支线耦合器结构的原理，提出了一种使用衬底集成间隙波导(SIGW)的宽带3dB耦合器。对SIGW耦合器的设计进行了全面的研究。研究发现，SIGW 导电脊形过孔起着重要作用，对腔体谐振、通带和阻抗匹配有很大影响。所提出的 SIGW 耦合器的原型已制造并测试，测量结果与模拟结果非常吻合。该耦合器比报道的要好，通带范围为 23.59 至 29 GHz 约 5 GHz，隔离度高于 20 dB，覆盖 5G 的 24.25-27.5-GHz 和 27.5-28.5-GHz 频段。
A wideband 3-dB coupler using substrate integrated gap waveguide (SIGW) is proposed based on the principle of the branch-line coupler structure. The SIGW coupler design is comprehensively studied. It is found that SIGW conducting ridge vias play a significant role and have a strong impact on the cavity resonance, passband, and impedance matching. A prototype of the proposed SIGW coupler is fabricated and tested, and the measured agrees well with the simulated. The coupler, better than the reported, has a passband of ~5 GHz from 23.59 to 29 GHz with the isolation above 20 dB, covering the 24.25–27.5-GHz and 27.5–28.5-GHz frequency bands of 5G.
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影响因子：
3.9
作者：
Farahani, Mohammadmahdi;Akbari, Mohammad;Sebak, Abdel R.
通讯作者：
Sebak, Abdel R.
DOI：
10.1109/tcpmt.2016.2626382
发表时间：
2017
期刊：
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology
影响因子：
--
作者：
Zheng Liu;G. Xiao
通讯作者：
Zheng Liu;G. Xiao
DOI：
10.1109/mwsym.2000.861763
发表时间：
2000-06
期刊：
2000 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.00CH37017)
影响因子：
--
作者：
Tao Shen;K. Zaki;T. Dolan
通讯作者：
Tao Shen;K. Zaki;T. Dolan
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
R. Mongia
通讯作者：
R. Mongia
DOI：
10.1109/mwsym.2016.7540186
发表时间：
2016-05
期刊：
2016 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS)
影响因子：
--
作者：
Jing Zhang;Xiupu Zhang;Dongya Shen
通讯作者：
Jing Zhang;Xiupu Zhang;Dongya Shen