Be doping in molecular layer epitaxy of GaAs
Be doping in molecular layer epitaxy of GaAs
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GaAs分子层外延中掺杂
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
西澤潤一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小山裕;大野武雄;須藤建;西澤潤一
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采用分子层外延实现的理想静电感应晶体管
影响因子：
6.7
作者：
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AsH3 表面处理后的区域选择性再生长及其在超浅 GaAs 侧壁隧道结中的应用
影响因子：
6.7
作者：
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通讯作者：
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HILSUM, C
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通讯作者：
T. Kurabayashi