Light-controlled resistive switching of ZnWO4 nanowires array
Light-controlled resistive switching of ZnWO4 nanowires array
复制标题
ZnWO4纳米线阵列的光控电阻开关
DOI：
10.1063/1.4891461
复制
发表时间：
2014-07
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Chen P.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao W. X.;Sun B.;Liu Y. H.;Wei L. J.;Li H. W.;Chen P.
采用水热法在钛基体上制备了ZnWO 4纳米线阵列，平均长度约为2 μ m，单根ZnWO 4纳米线的直径为50 ~ 70 nm。观察到了ZnWO 4纳米线阵列的双极阻变效应。而且，与在黑暗中相比，阻变器件在白色光照射下的性能有很大提高。
ZnWO4 nanowires array was prepared on the titanium substrate by a facile hydrothermal synthesis, in which the average length of ZnWO4 nanowires is about 2um and the diameter of individual ZnWO4 nanowire ranges from 50 to 70 nm. The bipolar resistive switching effect of ZnWO4 nanowires array was observed. Moreover, the performance of the resistive switching device is greatly improved under white light irradiation compared with that in the dark.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1088/0953-8984/21/32/325402
发表时间：
2009-07
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
D. Trots;A. Senyshyn;L. Vasylechko;R. Niewa;T. Vad;V. Mikhailik;H. Kraus
通讯作者：
D. Trots;A. Senyshyn;L. Vasylechko;R. Niewa;T. Vad;V. Mikhailik;H. Kraus
影响因子：
38.3
作者：
Kwon, Deok-Hwang;Kim, Kyung Min;Hwang, Cheol Seong
通讯作者：
Hwang, Cheol Seong
SrTiO3 和 Nb 掺杂 SrTiO3 电阻切换的综合研究
影响因子：
4
作者：
Chen, X. G.;Ma, X. B.;Yang, J. B.
通讯作者：
Yang, J. B.
影响因子：
4
作者：
Sawa, A;Fujii, T;Tokura, Y
通讯作者：
Tokura, Y
影响因子：
4
作者：
Baikalov, A;Wang, YQ;Chu, CW
通讯作者：
Chu, CW