Multiband Simulation of Quantum Transport
Multiband Simulation of Quantum Transport
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量子传输的多频带模拟
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10 nm 级 MOSFET 的器件设计和制造问题：计算研究
影响因子：
1.7
作者：
S. Hasan;Jing Wang;M. Lundstrom
通讯作者：
M. Lundstrom
半导体异质结构中隧道效应的多能带紧束缚方法：在 GaAs 中 Gamma X 传输中的应用。
DOI：
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发表时间：
1993
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
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作者：
Stovneng Ja;P. Lipavsk
通讯作者：
P. Lipavsk
表面和界面态的广义本征问题方法：GaAs 和 AlAs 的复能带。
DOI：
10.1103/physrevb.54.8107
发表时间：
1996
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
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作者：
T. Boykin
通讯作者：
T. Boykin
纳米级 MOSFET 散射器件仿真的计算高效方法
影响因子：
1.7
作者：
H. Iwata;T. Matsuda;T. Ohzone
通讯作者：
T. Ohzone
影响因子：
3.7
作者：
K. E. Newman;J. Dow
通讯作者：
J. Dow