Characterization of SiC power module for high switching frequency operation
Characterization of SiC power module for high switching frequency operation
复制标题
高开关频率操作的 SiC 功率模块特性
DOI：
10.1587/elex.7.1008
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Takashi Nakamura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Funaki;H. Inoue;M. Sasagawa;Takashi Nakamura
通过将多个SiC mosfet并联，研制出具有大额定电流的SiC功率模块。通过与传统硅IGBT模块的比较，对其高开关频率工作性能进行了表征和评价。首先，评估了静态电流电压特性和终端电容电压特性。然后，在DC-DC升压变换器电路中实验评估了SiC功率模块的开关行为。结果表明，所开发的SiC功率模块具有开关速度快、开关损耗低的优势。
The authors developed SiC power module with large rated current by connecting multiple SiC MOSFETs in parallel. This paper characterizes and evaluates its high switching frequency operation performance by comparing it with the conventional Si IGBT module. First, the static current-voltage characteristics and terminal capacitance-voltage characteristics are evaluated. Then, the switching behavior of the SiC power module is experimentally evaluated in the DC-DC boost converter circuit. The results clarified the superiority of the developed SiC power module for fast switching capability and low switching loss.
DOI：
10.1587/elex.2.97
发表时间：
2005
期刊：
IEICE Electron. Express
影响因子：
--
作者：
T. Funaki;J. Balda;J. Junghans;A. Jangwanitlert;S. Mounce;F. Barlow;H. Mantooth;T. Kimoto;T. Hikihara
通讯作者：
T. Funaki;J. Balda;J. Junghans;A. Jangwanitlert;S. Mounce;F. Barlow;H. Mantooth;T. Kimoto;T. Hikihara
高压 SiC-JFET 电容电压特性评估
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
IEICE Electron. Express Vol.4 No.16
影响因子：
--
作者：
T.Funaki;T.Kimoto;T. Hikihara
通讯作者：
T. Hikihara