Evaluation of capacitance-voltage characteristics for high voltage SiC-JFET
Evaluation of capacitance-voltage characteristics for high voltage SiC-JFET
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高压 SiC-JFET 电容电压特性评估
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hikihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Funaki;T.Kimoto;T. Hikihara
DOI：
10.1587/elex.2.97
发表时间：
2005
期刊：
IEICE Electron. Express
影响因子：
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作者：
T. Funaki;J. Balda;J. Junghans;A. Jangwanitlert;S. Mounce;F. Barlow;H. Mantooth;T. Kimoto;T. Hikihara
通讯作者：
T. Funaki;J. Balda;J. Junghans;A. Jangwanitlert;S. Mounce;F. Barlow;H. Mantooth;T. Kimoto;T. Hikihara
极高环境温度下的 SiC JFET 直流特性
DOI：
10.1587/elex.1.523
发表时间：
2004
期刊：
IEICE Electron. Express
影响因子：
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作者：
T. Funaki;J. Balda;J. Junghans;A. Kashyap;F. Barlow;H. Mantooth;T. Kimoto;T. Hikihara
通讯作者：
T. Hikihara
通过高反向偏压下的电容电压测量表征 SiC-SBD 中的穿通现象
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
IEICE Electronics Express 3・16
影响因子：
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作者：
T.Funaki;S.Matsuzaki;T.Kimoto;T.Hikihara
通讯作者：
T.Hikihara