Gamma radiation on gallium nitride high electron mobility transistors at ON, OFF, and prestressed conditions
Gamma radiation on gallium nitride high electron mobility transistors at ON, OFF, and prestressed conditions
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氮化镓高电子迁移率晶体管在开、关和预应力条件下的伽马辐射
DOI：
10.1116/6.0002216
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发表时间：
2022
影响因子：
1.4
通讯作者：
Pearton, Stephen J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rasel, Md Abu Jafar;Stepanoff, Sergei;Haque, Aman;Wolfe, Douglas E.;Ren, Fan;Pearton, Stephen J.
利用电子风力对伽马辐照 GaN HEMT 进行非热退火
影响因子：
2.2
作者：
Rasel, Md Abu;Stepanoff, Sergei;Haque, Aman;Wolfe, Douglas E.;Ren, Fan;Pearton, Stephen
通讯作者：
Pearton, Stephen
对基于商用 AlGaN/GaN 的 FET 进行伽马射线和 X 射线 TID 效应的可靠性分析
影响因子：
--
作者：
A. C. Vilas Bôas;Saulo Gabriel Alberton;Nilberto H. Medina;Vitor Ângelo Paulino;Marco Antonio Assis Melo;Roberto Baginski Santos;R. Giacomini;T. Cavalcante;Rafael Galhardo Vaz;E. Junior;L. Seixas;S. Finco;M. Guazzelli
通讯作者：
M. Guazzelli
纳米级应力局域化对 GaN 高迁移率晶体管辐射敏感性的影响
DOI：
10.1002/pssr.202200171
发表时间：
2022
期刊：
physica status solidi (RRL
影响因子：
--
作者：
Rasel, Md Abu;Stepanoff, Sergei;Haque, Aman;Wolfe, Douglas E.;Ren, Fan;Pearton, Stephen
通讯作者：
Pearton, Stephen