Structure of the oxidized 4H-SiC(0001)-3x3 surface
Structure of the oxidized 4H-SiC(0001)-3x3 surface
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氧化 4H-SiC(0001)-3x3 表面的结构
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Kawata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W.Voegeli;K.Akimoto;T.Urata;S.Nakatani;K.Sumitani;T.Takahashi;Y.Hisada;Y.Mitsuoka;S.Mukainakano;H.Sugiyama;X.Zhang;H.Kawata
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热氧化引起的 4H-SiC 表面区域显着的结构畸变并通过 Ar 退火恢复
DOI：
10.1149/08612.0063ecst
发表时间：
2018
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
Kita Koji;Hatmanto Adhi Dwi
通讯作者：
Hatmanto Adhi Dwi
影响因子：
2.3
作者：
A. D. Hatmanto;K. Kita
通讯作者：
A. D. Hatmanto;K. Kita
通过控制氧化条件抑制 4H-SiC/SiO2 界面副产物的生成（红外光谱表征）
影响因子：
2.3
作者：
H. Hirai;K. Kita
通讯作者：
K. Kita
4H-SiC/SiO2 界面缺陷的微观结构和电活性：氧化多孔 SiC 的 EPR 研究
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. J. von Bardeleben;J. Cantin;Y. Shishkin;R. Devaty;W. J. Choyke
通讯作者：
W. J. Choyke
4H-SiC/SiO2界面层间态及氧相关缺陷影响的第一性原理研究
影响因子：
1.7
作者：
C. Kirkham;T. Ono
通讯作者：
T. Ono