Design and Analysis of Double Spin Qubits Integrated on Ultra-thin Silicon-on-insulator
Design and Analysis of Double Spin Qubits Integrated on Ultra-thin Silicon-on-insulator
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超薄绝缘体硅上集成的双自旋量子位的设计与分析
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Alkhalil F. M.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Alkhalil F. M.
集成在硅双单电子晶体管读出器上的一对电荷量子位的单电荷极化研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
IEEE Transactions on Nanotechnology 7
影响因子：
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作者：
Y. Kawata;S. Oda;et al.
通讯作者：
et al.
高速单电子存储器：单元设计和架构
DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
Proceedings. Second International Workshop on Physics and Modeling of Devices Based on Low-Dimensional Structures (Cat. No. 98EX199)
影响因子：
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作者：
H. Mizuta;D. Williams;K. Katayama;H. Muller;K. Nakazato;H. Ahmed
通讯作者：
H. Ahmed
影响因子：
56.9
作者：
Petta, JR;Johnson, AC;Gossard, AC
通讯作者：
Gossard, AC