Ultrafast carrier recombination in highly n-doped Ge-on-Si films
Ultrafast carrier recombination in highly n-doped Ge-on-Si films
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高n掺杂Ge-on-Si薄膜中的超快载流子复合
DOI：
10.1063/1.5088012
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发表时间：
2019
影响因子：
4
通讯作者：
D. Brida
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Allerbeck;A. J Herbst;Y. Yamamoto;G. Capellini;M. Virgilio;D. Brida
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高掺杂 Ge 中的少数载流子寿命
DOI：
--
发表时间：
1972
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Conradt;J. Aengenheister
通讯作者：
J. Aengenheister
影响因子：
2.9
作者：
N. Nilsson
通讯作者：
N. Nilsson
影响因子：
2.1
作者：
Grupp, Alexander;Budweg, Arne;Brida, Daniele
通讯作者：
Brida, Daniele
影响因子：
3.7
作者：
Grzybowski, G.;Roucka, R.;Menendez, J.
通讯作者：
Menendez, J.
硅和锗中载流子寿命对掺杂剂浓度依赖性的比较研究
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Gaubas;J. Vanhellemont
通讯作者：
J. Vanhellemont