III–V micro- and nano-lasers deposited on amorphous SiO2
III–V micro- and nano-lasers deposited on amorphous SiO2
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III-V 微米和纳米激光器沉积在非晶 SiO2 上
DOI：
10.1063/5.0008144
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发表时间：
2020
影响因子：
4
通讯作者：
K. Lau
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu Han;Zhao Yan;Wai Kit Ng;Ying Xue;K. Ng;K. Wong;K. Lau
III-V族激光器在行业标准硅平台上的直接生长是完全集成硅光子学的关键。硅衬底上的传统 III-V 异质外延受到不匹配界面处产生的晶体缺陷的困扰，通常使用厚缓冲层来缓解这些问题。在这里，我们报告了室温 III-V 微米和纳米激光在非晶 SiO2 层上的直接沉积。无需晶体基板，也不必解决长期的晶格失配问题，我们演示了无位错 III-V 纳米柱和非晶 SiO2 层上微岛的直接异质外延。由于外延 InP 晶体嵌入低折射率环境中，我们观察到在光激发下生长的 InP 微晶发出强烈的室温激光。
The direct growth of III–V lasers on the industry-standard Si-platforms is the key for fully integrated Si-photonics. Conventional III–V hetero-epitaxy on Si substrates is plagued by crystalline defects generated at the mismatched interface, and thick buffers are often used to mitigate the issues. Here, we report the direct deposition of room temperature III–V micro- and nano-lasers on amorphous SiO2 layers. Without the requirement of crystalline substrates nor having to cope with the long-lasting lattice-mismatch problem, we demonstrate the direct hetero-epitaxy of dislocation-free III–V nanopillars and micro-islands on amorphous SiO2 layers. As the epitaxial InP crystals are embedded inside a low-index environment, we observed strong room temperature lasing from the as-grown InP crystallites under optical excitation.
影响因子：
3.6
作者：
Han, Yu;Ng, Wai Kit;Lau, Kei May
通讯作者：
Lau, Kei May
影响因子：
4
作者：
Jung, Daehwan;Herrick, Robert;Bowers, John E.
通讯作者：
Bowers, John E.