Control of epilayer thickness during epitaxial growth of high Ge content strained Ge/SiGe multilayers by RP-CVD
Control of epilayer thickness during epitaxial growth of high Ge content strained Ge/SiGe multilayers by RP-CVD
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通过 RP-CVD 外延生长高 Ge 含量应变 Ge/SiGe 多层膜期间外延层厚度的控制
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2010.10.133
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发表时间：
2011
影响因子：
1.8
通讯作者：
D. Leadley
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Myronov;Xuefeng Liu;A. Dobbie;D. Leadley
影响因子：
3.2
作者：
Shah, V. A.;Dobbie, A.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.
影响因子：
4
作者：
Shah, V. A.;Dobbie, A.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.