High-Q photonic crystal slab nanocavity with an asymmetric nanohole in the center for QED
High-Q photonic crystal slab nanocavity with an asymmetric nanohole in the center for QED
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中心具有不对称纳米孔的高 Q 光子晶体板纳米腔，用于 QED
DOI：
10.1364/josab.28.000265
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发表时间：
2011-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jin, Chongjun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Song, Yanjun;Song, Yanjun;Liu, Mingkai;Liu, Mingkai;Zhang, Yanbing;Zhang, Yanbing;Wang, Xuehua;Wang, Xuehua;Jin, Chongjun;Jin, Chongjun
我们提出了一种新的方法，它允许一个插入到一个高Q值的光子晶体板纳米腔与一个不对称的纳米孔在中心的单量子点的二氧化硅纳米球。基于三维时域有限差分模拟，通过调整L3型腔周围的空气孔来优化高Q腔。在这种非对称腔中实现了48700的高Q值。讨论了在纳米孔中含有单个量子点的二氧化硅球腔的性能，其Q因子可达5×104，模体积V为0.048μm3（λ 0/n = 0.62（λ0/n）3）.研究发现，纳米孔中的电场强度远大于无纳米孔腔中的最大电场强度。这使得可以定位量子点相对于腔模电最大值的精确位置。该系统为实现量子点与腔场的强相互作用提供了一个很好的实验平台，为腔场量子电动力学的研究提供了一个很好的实验平台。
We present a new approach which allows one to insert a silica nanosphere with a single quantum dot into a high Q photonic crystal slab nanocavity with an asymmetric nanohole in the center. The high Q cavity is optimized by adjusting air holes around the L3-type cavity based on three-dimensional finite-difference time-domain simulation. High Q value of 48 700 in this asymmetric cavity is achieved. The performance of the cavity with an assumed silica sphere containing a single quantum dot in the nanohole is also discussed, in which the Q factor can reach 5×104 and modal volume V is 0.048μm3 (∼0.62(λ0/n)3). It is found that the electric field intensity in the nanohole is much stronger than the maximum electric field in the cavity without a nanohole. This makes it possible to locate the precise position of the quantum dot with respect to the cavity mode electric maximum. This system provides a good candidate for realizing a strong interaction between a quantum dot and cavity for the study of cavity quantum electrodynamics.
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DOI：
10.1109/cleo.2008.4551797
发表时间：
2008-05
期刊：
2008 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2008 Conference on Quantum Electronics and Laser Science
影响因子：
--
作者：
P. Gallo;M. Felici;B. Dwir;K. Atlasov;K. Karlsson;A. Rudra;A. Mohan;G. Biasiol;L. Sorba;E. Kapon
通讯作者：
P. Gallo;M. Felici;B. Dwir;K. Atlasov;K. Karlsson;A. Rudra;A. Mohan;G. Biasiol;L. Sorba;E. Kapon
影响因子：
4
作者：
Chalcraft, A. R. A.;Lam, S.;Hopkinson, M.
通讯作者：
Hopkinson, M.
影响因子：
3.9
作者：
Darbandi, M;Lu, WG;Nann, T
通讯作者：
Nann, T
影响因子：
8.6
作者：
YABLONOVITCH, E
通讯作者：
YABLONOVITCH, E
影响因子：
4
作者：
A. Kiraz;P. Michler;C. Becher;B. Gayral;A. Imamoğlu;Lidong Zhang;E. Hu;W. Schoenfeld;P. Petroff
通讯作者：
A. Kiraz;P. Michler;C. Becher;B. Gayral;A. Imamoğlu;Lidong Zhang;E. Hu;W. Schoenfeld;P. Petroff