Study on piezoresistive effect of diamond films under magnetic field
Study on piezoresistive effect of diamond films under magnetic field
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磁场下金刚石薄膜压阻效应研究
DOI：
10.1016/j.sna.2003.07.004
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发表时间：
2003-11
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
孔春阳
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
王万录;廖克俊;胡陈果;王蜀霞;孔春阳
研究了磁场下P型金刚石薄膜的压阻效应。这些研究中的金刚石薄膜是通过微波等离子体化学气相沉积合成的。实验结果表明，室温下微应变为100时，无磁场时电阻变化约为12.0%，而在拉应力3T磁场下电阻变化约9.5%。 P型金刚石薄膜中压阻效应的起源可以通过应变引起的价带分裂和薄膜中由磁场中额外的空穴移动引起的磁阻效应来解释。
The piezoresistive effect of P-type diamond films was investigated under magnetic field. The diamond films in these studies were synthesized by microwave plasma chemical vapor deposition. The experimental results have shown that the change in the resistance was about 12.0% without magnetic field when microstrain was 100 at room temperature, but decreased by 9.5% under the magnetic field of 3T at tensile stress. The origin of the piezoresistive effect in P-type diamond films can be explained by the strain-induced valence band split-off and the magnetoresistive effect in the films that was caused by additional hole movement in a magnetic field.
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影响因子：
3.2
作者：
W. L. Wang;Xin Jiang;K. Taube;C. Klages
通讯作者：
W. L. Wang;Xin Jiang;K. Taube;C. Klages
影响因子：
4.1
作者：
W. L. Wang;K. Liao;B. Feng;G. Sánchez;M. C. Polo;J. Esteve
通讯作者：
W. L. Wang;K. Liao;B. Feng;G. Sánchez;M. C. Polo;J. Esteve
影响因子：
4.1
作者：
M. Thumm;M. Thumm
通讯作者：
M. Thumm;M. Thumm
DOI：
10.1109/5.90129
发表时间：
1991-05
期刊：
Proc. IEEE
影响因子：
--
作者：
W. Zhu;B. Stoner;B. Williams;J. Glass
通讯作者：
W. Zhu;B. Stoner;B. Williams;J. Glass
影响因子：
3.2
作者：
L. Fang;W. L. Wang;P. Ding;K. Liao;J. Wang
通讯作者：
L. Fang;W. L. Wang;P. Ding;K. Liao;J. Wang